http://ec2-52-68-2-140.ap-northeast-1.compute.amazonaws.com/pdf/jp/product/flyer/trn/f10.pdf WebbINK0310CC1 (Ron=92mQ) INKOIIAACI (Ron=311mQ) 20 120 40 60 80 100 0.65 2.8 1.5 0.65 ISAHAYA ELECTRONICS . Title: 大電流MOSFE① Author: イサハヤ電子株式会社 …
谏早电子株式会社
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2.7A対応MOS-FETイサハヤ電子が開発 電波新聞デジタル
Webb5 jan. 2024 · Developed gate driver unit for IGBT module drive of large current type with 40A (max) output peak current. It is easy to use due to built-in isolated gate power supply and short circuit protection circuit. It is possible to directly drive up to 4 parallel 1700V, 1200A class IGBT modules. Isolation strength of 4000Vrms, 1 minute. Webb(Type name: INK0310CC1) 2024.04.15 What's New. The gate drive unit for 1200V/600A, 1700V/300A class Mitsubishi 2nd generation SiC-MOSFET modules is under development. Built-in short-circuit protection circuit for RTC circuit enables to drive new SiC-MOSFET ... gunze count system